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次世代パワー半導体 II

飛躍するSiCとGaN

価格 44,000円(税込)
ISBN 978-4-8222-7678-2
発行日 2013年12月20日
著者名 日経エレクトロニクス 編
発行元 日経BP
ページ数 208ページ
判型 A4変

※電子書籍は価格や一部内容が異なる場合がございます。

内容紹介

◆SiCやGaNといった次世代パワー半導体の技術と市場の最新動向を一冊に凝縮
◆パワー・エレクトロニクス関連の展示会「PCIM」やパワー半導体の国際学会「ISPSD」、
 SiC関連の国際学会「ICSCRM」の最新成果についても掲載
◆パワー素子だけでなく、同素子を応用する上で不可欠な実装技術や材料技術、
 パワー素子を製造するための基板技術に関しても収録

世界の電力消費量が急増する中、省エネに不可欠な「パワー半導体」への注目が集まっています。それに伴い、今後も継続的にパワー半導体に対する需要が伸びる見込みです。

そのため、パワー半導体の中でも現行材料のSiだけでなく、Siを超える大幅な効率向上や小型化を見込める次世代材料として、SiCやGaNに対する期待が高まっています。 

次世代材料の中で、実用化で先行するのはSiCです。ダイオードを提供する企業が急増し、現在では日本以外のアジア企業も製品化しています。SiCダイオードの適用事例が増えており、例えば太陽光発電システムのパワー・コンディショナや鉄道向け インバータ装置、産業用インタバータ装置、空調機、電気自動車に搭載する車載充電器、音響機器などに搭載されています。今後は、ハイブリッド自動車や電気 自動車などの電動車両を駆動するモータ用のインバータ装置への搭載が期待されています。

ダイオードだけでなく、SiC MOSFETも製品化され、ダイオードとトランジスタの両方をSiCにしたフルSiCのパワー・モジュールの提供も始まりました。

GaNパワー素子も、実用化が始まっています。2013年に入ってから、製品化を発表する企業が急増しました。既に音響機器の一部にはGaNパワー素子の採用が始まっています。

そこで本書では、こうしたSiCやGaNといった次世代パワー半導体の技術と市場の最新動向をまとめました。例えば、パワー・エレクトロニクス関連の展示会「PCIM」やパワー半導体の国際学会「ISPSD」、SiC関連の国際学会「ICSCRM」の最新成果についても掲載しました。パワー素子だけでな く、同素子を応用する上で不可欠な実装技術や材料技術、パワー素子を製造するための基板技術に関しても取り上げています。本書は2012年春に発行した別冊「次世代パワー半導体」の続編にあたり、次世代パワー半導体の最新動向を把握するのに適した一冊です。





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