TSVに電解めっきでCuを埋め込んだところ

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　米Novellus Systems, Inc.は，TSV（Si貫通ビア）向けのスパッタ技術を開発したと発表した。TSVを使った3次元パッケージ技術は，パッケージの小型化や電気特性向上の面で有利であり，次世代技術として期待されている。しかし，TSV形成のためのプロセス・コストが高いことが課題となって普及が進んでいなかった。

　この問題の解決に向け，NovellusはCuシード層を形成するためのスパッタ技術を改良した。この結果，従来の1/4の厚さでも十分な特性を持ったCuシード層を実現できたという。