東京工業大学 教授の小長井誠氏の研究グループは,Si量子ドットを用いた太陽電池で,開放電圧(Voc)やI-V特性の形状因子(FF)の値を大きく向上させた。2010年3月10日,応用物理学会が開いた2010年の春季応用物理学会学術講演会の報道機関向けプレビュー発表会の場で発表した。
量子ドットは,粒径が10nm前後の半導体の粒を指す。その粒の場所だけ井戸の穴のようにバンドギャップが現れる。粒径を変化させることでそのバンドギャップの大きさを制御できるため,多接合型の太陽電池セルを構成しやすいとされる。
















