2013年に向けたEUVの進ちょくが焦点、新技術はブロック共重合体を使ったDSA

　「SPIE Advanced Lithography 2010」が2010年2月21〜25日に米国サンノゼで開かれた。2010年は新たにEUV（extreme ultraviolet）リソグラフィ関連が独立したセッションとして一本立ちした。EUVを除いた他のリソグラフィ関連は「Alternative Lithographic Technologies」という名でひとまとめになっている。その他のセッションもあり、パラレル・セッションのセッション数が増えた。

　微細化のための技術開発が年々厳しさを増すという状況の中、2010年は開催期間が半日短くなった。リーマン・ショックで参加者が激減した2009年からは参加人数がかなり戻ったが、過去の多かった時期ほどまでは戻ってはいない。以前は露光装置の短波長化と高開口数（NA）化が微細化をけん引していたが、これらの改善が止まったためにリソグラフィ技術の進化は今、ある種の踊り場にあるといえる。従って、今回も主役は次世代技術として期待を担うEUVリソグラフィであり、「そのEUVが2013年に向けてものになるのか？ものにならない場合のリスク・ヘッジ策は？」というのが、シンポジウム全体の底に流れる基本認識である。