スイスNumonyx社は,45nm世代の1Gビット相変化メモリ(phase change memory:PCM)を,半導体回路技術の国際会議「ISSCC 2010」で発表した(講演番号14.8)。
チップ面積は37.5mm2と小さい。供給電圧は1.7V,2.0Vである。イニシャル・アクセス時間は85nsで,読み出し時の最大データ転送速度は266Mバイト/秒である。
スイスNumonyx社は,45nm世代の1Gビット相変化メモリ(phase change memory:PCM)を,半導体回路技術の国際会議「ISSCC 2010」で発表した(講演番号14.8)。
チップ面積は37.5mm2と小さい。供給電圧は1.7V,2.0Vである。イニシャル・アクセス時間は85nsで,読み出し時の最大データ転送速度は266Mバイト/秒である。
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